BSO硅酸鉍晶體

簡要描述：BSO硅酸鉍晶體：BSO和BGO晶體用于空間光調(diào)制器，動態(tài)實時全息記錄設(shè)備，相位共軛波混合，光學相關(guān)器和光學激光系統(tǒng)，用于超短光脈沖的自適應校正。光誘導吸收使其有可能開發(fā)和生產(chǎn)“光 - 光"型光學器件，如光學調(diào)制器，開關(guān)等。

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更新時間：2024-12-26
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光學元器件

光學晶體光譜和測試類鏡片光纖光柵激光鏡片測量和記錄溫度的鏡片材料和鍍膜

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產(chǎn)品簡介

品牌	其他品牌	供貨周期	兩周
應用領(lǐng)域	環(huán)保,化工,電子

詳細介紹

光折變晶體：BSO硅酸鉍晶體

光折變晶體：SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BSO硅酸鉍晶體/BGO鍺酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體

光折變效應是局部折射率通過光強度的空間變化而改變的現(xiàn)象。當形成空間變化的照明圖案的光折射材料中，相干光彼此干涉時，可強烈觀察到。這是由于漂移或擴散和空間電荷分離效應，在遷移材料中產(chǎn)生電荷載流子。產(chǎn)生的所產(chǎn)生的電場通過電光效應引起折射率變化。其中一些應用是空間光調(diào)制器，4波混頻，相位共軛，光存儲器和計算。

Sillenite單晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）顯示了不同物理性質(zhì)的組合。BSO和BGO晶體是非常有效的光電導體，具有低暗電導率，允許建立大的光誘導空間電荷。光電導性和光電特性的強烈光譜依賴性允許開發(fā)和生產(chǎn)各種各樣的光學器件和系統(tǒng)。BSO和BGO晶體用于空間光調(diào)制器，動態(tài)實時全息記錄設(shè)備，相位共軛波混合，光學相關(guān)器和光學激光系統(tǒng)，用于超短光脈沖的自適應校正。光誘導吸收使其有可能開發(fā)和生產(chǎn)“光 - 光"型光學器件，如光學調(diào)制器，開關(guān)等。通過不同技術(shù)制造氧化亞錫薄膜晶體結(jié)構(gòu)允許開發(fā)包括光學波導，集成光學器件的多種裝置?；赟illenites的波導光學結(jié)構(gòu)的使用允許在寬光譜范圍內(nèi)實現(xiàn)均勻照射（通常到波導平面）。

BGO SBN

光折變晶體：SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BGO鍺酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體

晶體	Bi ₁₂ SiO ₂₀（BSO）	Bi ₁₂ GeO ₂₀（BGO）	Fe：LiNbO ₃	SBN x = 0.60	SBN x = 0.75
晶體結(jié)構(gòu)	立方，點組：23	立方，點組：23	三角形，3m	4mm	4mm
晶格（胞）參數(shù)，?	10.10	10.15	-	a = 12.46，c = 3.946	a = 12.43024，c = 3.91341
透射范圍，μm	0.4-6	0.4-7	0.35 - 5.5	0.3 5 - 6.0	0.35 - 6.0
折射率在0.63μm	2.54	2.55	2.20（ne），2.29（no）	n _e = 2.33，n _o = 2.36 @0.51μm	n _e = 2.35，n _o = 2.37 @0.51μm
電光系數(shù)r41，pm / V	5	3.5	r22 = 6.8，r31 = 10，r33 = 32	r ₁₃ = 47，r ₃₃ = 235	r ₁₃ = 67，r ₃₃ = 1340
光學活性，500納米處的deg / mm	42	41.5	-	-	-
在600nm處為 - deg / mm	25	24	-	-	-
密度，g / cm ³	9.15	9.2	4.64	5.4	5.4
莫氏硬度	5	5	5	5.5	5.5
熔點，C	890	920	1255（Tc = 1140）	1500±10°C	1500±10°C
介電常數(shù)	56	40	85（e11）30（e33）	880	3400
暗電阻，歐姆厘米	10 ¹⁴	10 ¹⁴	-	-	-
吸收系數(shù)@0.44μm	-	-	-	0.3cm ^-1	-
在25°C時的熱導率	-	-	-		0.006 W / cm * K
@ 1370至1470℃下	-	-	-	-	0.008 W / cm * K
熱光系數(shù)dn _e / dT	-	-	-	3×10 ^-4 K ^-1	-
居里溫度	-	-	-	75℃	56℃
半波電壓	-	-	-	240伏	48 V