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用于超快激光器的鈦藍(lán)寶石晶體

簡(jiǎn)要描述:用于超快激光器的鈦藍(lán)寶石晶體HEM與國(guó)際高強(qiáng)度激光專(zhuān)家社區(qū)合作,開(kāi)發(fā)了目前HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石超快激光光學(xué)器件。能夠提供 200 mm 和 220 mm HEM Ti:Sapphire 激光光學(xué)器件,以支持當(dāng)今的高強(qiáng)度激光設(shè)施。

  • 產(chǎn)品型號(hào):HEM
  • 更新時(shí)間:2024-12-26
  • 訪  問(wèn)  量:1062

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

品牌其他品牌供貨周期一個(gè)月以上
應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,化工,電子

詳細(xì)介紹

用于超快激光器的鈦藍(lán)寶石晶體HEM® Ti:Sapphire Crystals

用于超快激光器的鈦藍(lán)寶石晶體HEM與國(guó)際高強(qiáng)度激光專(zhuān)家社區(qū)合作,開(kāi)發(fā)了目前HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石超快激光光學(xué)器件。能夠提供 200 mm 和 220 mm HEM Ti:Sapphire 激光光學(xué)器件,以支持當(dāng)今的高強(qiáng)度激光設(shè)施。

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詳細(xì)介紹

HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石激光光學(xué)元件以其高品質(zhì)而聞名,用于世界頂級(jí)超快激光實(shí)驗(yàn)室

Crystal Systems專(zhuān)有的HEM技術(shù)可產(chǎn)生直徑達(dá)220 mm的晶體尺寸的優(yōu)質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)。由HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石晶體制成的超快激光光學(xué)元件的波前值為1/10或更高,F(xiàn)OM值高達(dá)1000。

低損傷HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石激光材料在Crystal Systems的光學(xué)制造設(shè)施中加工,具有極其緊密的幾何形狀和晶體對(duì)準(zhǔn)。晶體質(zhì)量和光學(xué)制造工藝的各個(gè)方面都通過(guò)專(zhuān)業(yè)測(cè)試和測(cè)量設(shè)備進(jìn)行驗(yàn)證。我們提供有關(guān)HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石激光光學(xué)器件的激光、光學(xué)和機(jī)械屬性的詳細(xì)質(zhì)量報(bào)告。

Crystal Systems與國(guó)際高強(qiáng)度激光專(zhuān)家社區(qū)合作,開(kāi)發(fā)了目前HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石超快激光光學(xué)器件。能夠提供 200 mm 和 220 mm HEM Ti:Sapphire 激光光學(xué)器件,以支持當(dāng)今的高強(qiáng)度激光設(shè)施。


用于超快激光器的鈦藍(lán)寶石晶體HEM ® Ti:Sapphire特性:

  • 直徑 220 mm

  • 出色的均勻性

  • 熱性能

  • 高效指標(biāo)

  • 無(wú)散射

  • 高激光損傷閾值

  • 提供大尺寸和高摻雜材料

  • 532 nm 的 Alpha 值 0.5-8.0/cm

屬性

  • FOM(品質(zhì)因數(shù))與吸收 – HEM® 工藝旨在最大限度地提高 532 nm 處的吸收,并減少 800 nm 處的寄生吸收,從而提供業(yè)內(nèi)最高的 FOM 值。每個(gè)晶體系統(tǒng)HEM® Ti:藍(lán)寶石晶體都經(jīng)過(guò)實(shí)際FOM值測(cè)試,這些值是業(yè)內(nèi)最高的(高達(dá)1000)。

  • HEM Ti:Sapphire 的可調(diào)范圍 – HEM® Ti:sapphire 具有從 650 nm 到 1200 nm 的寬可調(diào)范圍,峰值強(qiáng)度約為 800 nm。材料的寬帶寬允許短脈沖和高重復(fù)率。我們的 Ti:Sapphire 激光光學(xué)器件提供一系列鈦摻雜濃度(0.5 至 8.0 @ alpha 532 nm),允許調(diào)整整體路徑長(zhǎng)度設(shè)計(jì),以滿足您的總低功耗單次吸收 (LPSP)。

  • 吸收/熒光 – Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石激光器通常使用π偏振操作。該圖表顯示了HEM® Ti:Sapphire在π偏振中的吸收和熒光帶。

  • 布魯斯特角激光晶體 – 我們大多數(shù)較小的晶體都用布魯斯特角(Brewster’s Angle )端拋光,以最大限度地減少反射損失。布魯斯特角基于材料的折射率。Ti:Sapphire 的折射率為 ~1.76,從而產(chǎn)生 ~60.4° 的布魯斯特角。我們的C軸旋轉(zhuǎn)精度受到嚴(yán)格控制,以避免激光調(diào)制。



  • 先進(jìn)的激光拋光和高損傷涂層 – Crystal Systems將先進(jìn)的拋光技術(shù)應(yīng)用于其高功率激光光學(xué)器件,以產(chǎn)生埃級(jí)粗糙度和低次表面損傷。我們進(jìn)行測(cè)試以確保高且可重復(fù)的激光損傷閾值。

  • 防反射鍍膜 – 晶體系統(tǒng)為多通放大器晶體提供先進(jìn)的增透鍍膜。我們的涂層設(shè)計(jì)用于在泵浦和激光波長(zhǎng)下提供最大效率。AR涂層在現(xiàn)場(chǎng)成功運(yùn)行,具有始終如一的高激光損傷閾值結(jié)果,使激光操作員能夠準(zhǔn)確地計(jì)算泵浦功率,從而以較低的損壞風(fēng)險(xiǎn)大化功率輸出。

特征:

高品質(zhì)HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石激光晶體以的晶體結(jié)構(gòu)和正確的3+價(jià)電子態(tài)開(kāi)始。我們通過(guò)多階段、嚴(yán)格的檢測(cè)流程,使用先進(jìn)的測(cè)試和測(cè)量設(shè)備,確保這些要求。我們測(cè)試棒材的吸收值、均勻性、光散射、FOM、平坦度和透射波鋒。每個(gè)HEMTi:藍(lán)寶石激光棒都使用先進(jìn)的設(shè)備和專(zhuān)業(yè)的激光技術(shù)人員進(jìn)行檢查和驗(yàn)證。對(duì)質(zhì)量和精度的全力關(guān)注保證了我們的激光晶體尺寸、表面和晶體結(jié)構(gòu)為您的激光平臺(tái)的高功率水平和出色的光束分布奠定了基礎(chǔ)。® ®

應(yīng)用:

HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石的寬發(fā)射范圍(650 nm 至 1200 nm)、高功率密度泵浦能力以及出色的熱性能使當(dāng)今的高強(qiáng)度激光平臺(tái)成為可能。這些設(shè)施正在創(chuàng)造下一代基于激光的應(yīng)用,如質(zhì)子治療、加速器物理、核物理、遠(yuǎn)場(chǎng)物理、紅外光譜和材料表征。Crystal Systems與客戶密切合作,開(kāi)發(fā)新的晶體設(shè)計(jì),以便超快激光社區(qū)能夠繼續(xù)提高其產(chǎn)品的可靠性和性能。®

HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石AR涂層的激光損傷閾值測(cè)試

以下測(cè)試結(jié)果來(lái)自Crystal Systems對(duì)HEMTi:Sapphire Amplifier Crystals上使用的AR涂層進(jìn)行的定期測(cè)試之一。這些結(jié)果代表了我們的涂層可以預(yù)期的損傷閾值。®

測(cè)試樣品:

  • 測(cè)試類(lèi)型:激光損傷閾值

  • 基板材料:HEM Ti:藍(lán)寶石

  • 試樣尺寸:直徑 1"

  • 涂層類(lèi)型:AR

測(cè)試條件:

  • 測(cè)試波長(zhǎng): 532 nm

  • 入射角:0o

  • 脈沖重復(fù)頻率:10 Hz

  • 極化:線性

  • 測(cè)試光束輪廓:透射電鏡脈沖寬度(FWHM):10 ns 軸向模式:多S

  • 凹坑直徑: 570 μm

  • site數(shù): 80

  • 測(cè)試方法:激光損傷頻率

  • 曝光持續(xù)時(shí)間:200shots/site

測(cè)試結(jié)果:

  • 損傷定義:等離子體,增加的He-Ne散射,使用100X Nomarski明場(chǎng)顯微鏡觀察到的可見(jiàn)損傷。

  • 結(jié)果描述:部分以13.00 Jcm-2照射,10個(gè)點(diǎn)未損壞

  • 激光傷害閾值:在 14.16 Jcm-2 峰值通量下計(jì)算

  • 測(cè)試由Spica Technologies Inc.公司提供。


產(chǎn)品規(guī)格:

1、布魯斯特切割HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石晶體,用于放大器和超快激光器

特性:

高度均勻的結(jié)晶 HEM 生長(zhǎng)鈦:藍(lán)寶石晶體
激光拋光(10-5 或更好的布魯斯特角截面)

90°
L/10 平面度@632nm
精細(xì)研磨
L/4 PV @632nm 可最大限度地減少空間變化并最大限度地提高光束質(zhì)量




標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格:

PL (毫米)LPSP@532nm3.0mm x 3.0mm~3.50cm-1> 200









2.9~87%1.5mm x 3.0mm~5.00cm-1> 150









4~89%2.0mm x 4.0mm~1.05cm-1> 400









20~94%5.0mm ?~5.00cm-1> 150









20~94%6.2mm ?~1.30cm-1> 400









25.4~92%等級(jí)拋光類(lèi)型徑向取向直徑公差平整度外徑表面TWE鍍膜AR鍍膜反射激光損傷閾值測(cè)試直徑LPSP @532nm
158mm ?~92%











1515mm ?~92%











2016x 16mm2~92%











2025mm ?~92%











2040mm ?~92%














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